8 Trends, die die Zukunft der Halbleiterindustrie prägen werden

Eine kurze ­Zusammenfassung der wichtigs­­ten Trends, die die ­Ent­wicklung der Halb­leitertechno­logie von heuteund morgen ­bestimmen werden.

1 Das Moore’sche Gesetz gilt weiter

Die CMOS-Transistordichte wird in den nächsten Jahren weiterhin dem Moore’schen Gesetz folgen. Ermöglicht wird dies vor allem durch Fortschritte bei der EUV-Strukturierung und durch die Einführung neuartiger Chip-Architekturen. So stößt die FinFET-Technologie bei einer Skalierung über fünf Nanometer hinaus an ihre Grenzen. Eine Lösung werden Nanosheet- oder Gate-all-around-Transistoren bieten: Dabei handelt es sich um eine ­modifizierte Transistorstruktur, bei der das Gate den Kanal von allen Seiten kontaktiert und eine kontinuierliche ­Skalierung ermöglicht. Sie versprechen Leistungssteigerungen von mehr als 25 Prozent und eine Senkung des Stromverbrauchs um mehr als 50 Prozent.

 

2 Neue Chip-Architekturen drängen auf den Markt

Über 50 Jahre hat die x86-Architektur die Mikro­prozessorindustrie dominiert. Mittlerweile ändert sich das ­jedoch: Die ARM-Architektur punktet zunehmend mit ­ihrer Leistung und ihrem geringen Stromverbrauch. ARM stellt seine IP-Chip-Hersteller zur Verfügung, die darauf basierend ihre eigenen Chips entwickeln und in Foundries fertigen lassen können. Darüber hinaus hat die RISC-V-Architektur in IoT-Geräten und anderen ­Anwendungen aufgrund ihres Open-Source-Vorteils und des besseren Stromverbrauchs an Bedeutung gewonnen.

 

3 Neue Materialien ergänzen Silizium

Silizium als Basismaterial von Mikrochips stößt ­zunehmend an seine Grenzen. Die Nachfrage nach immer ­kleineren und schnelleren integrierten ­Schaltkreisen hat die Effizienz des Materials bis an die ­Grenze des Machbaren getrieben. Die Erforschung neuer ­Materialien ist im Gange, wobei einige Materialien für die Zukunft sehr vielversprechend sind: So ­könnte Hochleistungs-­Galliumnitrid aufgrund seines hohen kritischen Energie­feldes für effizientere und schnellere ­Stromumwandlungen in Stromnetzen eingesetzt werden. Halbleiter auf ­Antimonid- und Bismuthid-Basis werden in verbesserten Infra­rotsensoren für den medizinischen und militärischen Bereich eingesetzt. Graphen hat das Potenzial, Silizium als Allzweck-Halbleitermaterial zu übertreffen, aber eine breite Kommerzialisierung könnte noch bis zu fünfundzwanzig Jahre entfernt sein. Pyrit könnte als Ersatz für das Seltenerd-Element Cadmiumtellurid verwendet werden, das in ­Solarzellen weit verbreitet ist, aber nur ­begrenzt zur Verfügung steht. Pyrit ist reichlich vorhanden, kostengünstig und nicht giftig.

 

4 Künstliche Intelligenz erobert die Edge

Mit einem erwarteten Wachstum von deutlich über 100 Prozent in den nächsten fünf Jahren ist die Edge-KI einer der größten Trends in der Chipindustrie. Bei der Edge-KI ist die Anwendung des erlernten „Wissens“ (die Inferenz) in die Endpunkte des Internets der Dinge eingebettet. Heute bieten handelsübliche Edge-KI-Chips eine Effizienz in der Größenordnung von 1 bis 100 Tera-­Operationen pro Sekunde pro Watt (Tops/W), wobei ­s­chnelle GPUs oder ASICs für die Berechnungen verwendet werden. Für IoT-Implementierungen werden wesent­lich ­höhere Wirkungsgrade benötigt. Die Forschung arbeitet an Lösungen, die eine Effizienz für Inferenzen in der ­Größenordnung von 10.000 Tops/W erreichen.

 

5 Neue 3D-Technologien ­ermöglichen ­heterogene Integration

Die heterogene Integration, also die Integration verschiedenartiger elektronischer Komponenten auf einem Chip, wird in Zukunft immer wichtiger, um die ­Speichergrenze zu überwinden oder die Funktionalität in ­Systemen mit eingeschränktem Formfaktor zu erhöhen. Basis ­dafür sind 3D-Integrationstechnologien. Aktuell können ­dabei in der Produktion Abstände zwischen den Verbindungspunkten, den Lötkugeln oder Microbumps, von etwa 30­ ­Mikrometern realisiert werden. Ziel ist es, diese ­Abstände weiter zu verringern. Das IMEC hat zum ­Beispiel bereits Verbindungsabstände von sieben Mikro­metern realisiert. Solche hochdichten Verbindungen ermög­lichen eine mehr als 16-fach höhere 3D-Verbindungsdichte ­zwischen den Chips bei der heterogenen Integration und damit einen stark reduzierten Flächenbedarf.

 

6 Nichtflüchtige Speicher auf dem ­Vormarsch

Bei nichtflüchtigen Speichern verringert sich zusehends die Geschwindigkeit der Skalierung. Zwar bieten Verfahren wie das Wafer-to-Wafer-Bonding bei NAND-Speichern oder die EUV-Lithografie bei DRAMs noch Potenzial zur Verbesserung der Strukturierung, doch die Grenzen sind absehbar. Neue Ansätze versprechen dagegen eine ­weitere Steigerung der Speicherkapazität. Dazu ­gehören unter ­anderem magnetische Direktzugriffsspeicher (MRAM), die einen wesentlich schnelleren Speicherzugriff bei gleichzeitig geringerem Energieverbrauch als elektronische Speicher wie DRAMs erlauben. Zudem benötigen MRAM-­Speicherzellen auf einem Chip nur einen Bruchteil des Platzes, den etwa DRAM- oder SRAM-Zellen belegen. 

 

7 Logik-Leistung steigern

Transistoren werden in Zukunft weiter schrumpfen – doch die Performanceverbesserung bei gleicher Leistungsaufnahme hat sich deutlich verlangsamt. Ein Grund dafür ist unter anderem die notwendige Skalierung der Strom- und Spannungsversorgung, denn mit den Strukturen werden auch die elektrischen Verbindungen minimiert – damit steigen deren Widerstände. Eine Lösung können im Substrat „vergrabene“ Stromschienen (Buried Power Rails, BPR) sein: Sie sollen durch die optimierte Stromverteilung eine Leistungssteigerung auf System­ebene ermöglichen. Weiterhin wird an neuen Materialien geforscht, die den Durchgangswiderstand reduzieren: Dazu gehören Hybridmetallisierungen mit Ruthenium oder ­Molybdän. Interconnects auf den Chips könnten in Zukunft statt aus Kupfer aus binären Legierungen und kobaltbasierten Werkstoffen bestehen, mit denen der Leitungswiderstand sinken soll.

8 CMOS und MEMS wachsen zusammen

Etablierte CMOS-Technologien werden in Zukunft ­zunehmend durch MEMS (Micro-Electro-Mechanical ­Systems) ergänzt. Die CMOS-Wafer dienen dabei als ­„intelligentes“ Substrat, da sie bereits Ansteuer- und Ausleseschaltungen, Signalverarbeitung und Schnitt­stellen zur Energie­übertragung enthalten. Durch die Kombination von CMOS und MEMS entstehen kostengünstige und extrem ­kompakte Mikrosysteme für den Einsatz in Medizin, ­Industrie, Mobilität bis hin zur ­­Luft- und Raumfahrt.